Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPN1R603PL,L1Q

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

376419

Obraz TPN1R603PL,L1Q.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN1R603PL,L1Q

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

5000+

$0.575

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

TPN1R603PL,L1Q
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

TPN1R603PL,L1Q.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

10V @ 10µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Seria

U-MOSIX-H
RDS (Max) @ ID, Vgs

1.2 mOhm @ 80A, 10V
Strata mocy (max)

104W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerVDFN
Inne nazwy

TPN1R603PL,L1Q(M
TPN1R603PLL1Q
TPN1R603PLL1QTR
temperatura robocza

175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3900pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

41nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 80A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

80A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „TPN1R603PL,L1Q”.

TPN2010FNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3R704PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R304PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN14006NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN1600ANH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN4R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN22006NH,LQ

Opis: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3021

Opis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

TPN2R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3300ANH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN30008NH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3021RL

Opis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN1110ENH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN11003NL,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN13008NH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN4R303NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN11006NL,LQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R703NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.