Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPN22006NH,LQ

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2041826

Obraz TPN22006NH,LQ.

Toshiba Semiconductor and Storage

TPN22006NH,LQ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.367

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

TPN22006NH,LQ
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

TPN22006NH,LQ.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 100µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

8-TSON Advance (3.3x3.3)
Seria

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ ID, Vgs

22 mOhm @ 4.5A, 10V
Strata mocy (max)

700mW (Ta), 18W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerVDFN
Inne nazwy

TPN22006NH,LQ(S
TPN22006NHLQ
TPN22006NHLQTR
temperatura robocza

150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

710pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

12nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

6.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 9A (Ta) 700mW (Ta), 18W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

9A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „TPN22006NH,LQ”.

TPN3021

Opis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

TPN11003NL,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN14006NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN4R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3021RL

Opis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics

Na stanie

TPN2010FNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN30008NH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN1600ANH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R703NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN1110ENH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN1R603PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN4R303NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN2R304PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN13008NH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3R704PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN3300ANH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TPN11006NL,LQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.