Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPN2R304PL,L1Q
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1161680Obraz TPN2R304PL,L1Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R304PL,L1Q

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.94
10+
$0.825
100+
$0.636
500+
$0.471
1000+
$0.377
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPN2R304PL,L1Q
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 40V 80A TSON
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TPN2R304PL,L1Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.4V @ 0.3mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Seria
    U-MOSIX-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.3 mOhm @ 40A, 10V
  • Strata mocy (max)
    630mW (Ta), 104W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    TPN2R304PLL1QCT
  • temperatura robocza
    175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3600pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    41nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 40V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    80A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPN2R304PL,L1Q”.
TPN11003NL,LQ

TPN11003NL,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN13008NH,L1Q

TPN13008NH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R203NC,L1Q

TPN2R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2010FNH,L1Q

TPN2010FNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN22006NH,LQ

TPN22006NH,LQ

Opis: MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R805PL,L1Q

TPN2R805PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN1R603PL,L1Q

TPN1R603PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN30008NH,LQ

TPN30008NH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.6A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN14006NH,L1Q

TPN14006NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN4R203NC,L1Q

TPN4R203NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN11006NL,LQ

TPN11006NL,LQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R503NC,L1Q

TPN2R503NC,L1Q

Opis: MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN4R303NL,L1Q

TPN4R303NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 63A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3021

TPN3021

Opis: OVP TRIPOLAR NETWORK 28V 8-SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TPN3021RL

TPN3021RL

Opis: THYRISTOR 28V 100A 8SOIC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
TPN1110ENH,L1Q

TPN1110ENH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3R704PL,L1Q

TPN3R704PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 80A TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN2R703NL,L1Q

TPN2R703NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPN3300ANH,LQ

TPN3300ANH,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.