Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5806US
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5895564Obraz JAN1N5806US.Microsemi

JAN1N5806US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$11.669
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5806US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5806US.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    975mV @ 2.5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    150V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D-5A
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, A
  • Inne nazwy
    1086-2122
    1086-2122-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 150V 2.5A Surface Mount D-5A
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 150V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2.5A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 10V, 1MHz

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5806US”.
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Opis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.