Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5804
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2977587

JAN1N5804

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
120+
$8.547
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5804
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    975mV @ 2.5A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Inne nazwy
    1086-2119
    1086-2119-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 2.5A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2.5A
  • Pojemność @ VR F
    25pF @ 10V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5804”.
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Opis: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Opis: TVS DIODE 111V 179V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Opis: TVS DIODE 53V 85V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5772

JAN1N5772

Opis: TVS DIODE 10CFLATPACK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.