Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > JAN1N5772
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4162248

JAN1N5772

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5772
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 10CFLATPACK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5772.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    8
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    -
  • Napięcie - podziały (min)
    -
  • Napięcie - Podział
    10-CFlatpack
  • Rodzaj
    Steering (Rail to Rail)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/474
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    Ethernet
  • Ochrona linii zasilających
    -
  • Moc - Peak Pulse
    -
  • Polaryzacja
    10-CFlatPack
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N5772
  • Opis
    TVS DIODE 10CFLATPACK
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    -
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5772”.
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5711-1

JAN1N5711-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO35

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5711UR-1

JAN1N5711UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 33MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5653A

JAN1N5653A

Opis: TVS DIODE 58.1V 92V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802URS

JAN1N5802URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5651A

JAN1N5651A

Opis: TVS DIODE 47.8V 77V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5660A

JAN1N5660A

Opis: TVS DIODE 111V 179V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5652A

JAN1N5652A

Opis: TVS DIODE 53V 85V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802

JAN1N5802

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5647A

JAN1N5647A

Opis: TVS DIODE 33.3V 53.9V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5655A

JAN1N5655A

Opis: TVS DIODE 70.1V 113V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5802US

JAN1N5802US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804

JAN1N5804

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5649A

JAN1N5649A

Opis: TVS DIODE 40.2V 64.8V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5648A

JAN1N5648A

Opis: TVS DIODE 36.8V 59.3V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.