Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5809US
Poproś o wycenę
polski
6547855

JAN1N5809US

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$10.528
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5809US
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5809US.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    875mV @ 4A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    B, SQ-MELF
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/477
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    30ns
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    SQ-MELF, B
  • Inne nazwy
    1086-2125
    1086-2125-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 6A Surface Mount B, SQ-MELF
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    6A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 10V, 1MHz

Electronics Weekly Brief | Apr 13–19, 2026

2026/04/20

How ERAI Membership Strengthens Supply Chain Reliability in...

2026/04/17

Futuretech Components Vietnam Team | Local Presence, Strong...

2026/04/13

Electronics Weekly News | Apr 6 - 12, 2026

2026/04/13

Case Study | How Did We Help a European Manufacturer Overco...

2026/04/10

Electronics Weekly News | Mar 30 - Apr 5, 2026

2026/04/7

Electronics Weekly News | Mar 23 - 29, 2026

2026/03/30

STMicroelectronics and Allegro Announce Price Increases

2026/03/26

Electronics Weekly News | Mar 16 - 22, 2026

2026/03/24

Automotive Memory Applications & Selection Guide I

2026/03/17

Electronics Weekly News | Mar 9 - 15, 2026

2026/03/16

NXP Announces Price Adjustment Effective April 1, 2026

2026/03/12
Ustanowiliśmy długoterminowe partnerstwa z głównymi globalnymi dostawcami logistyki, oferując elastyczne i wydajne rozwiązania wysyłkowe dostosowane do twoich unikalnych potrzeb.W zależności od wielkości, wagi i miejsca docelowego zamówienia wybieramy najbardziej odpowiedniego przewoźnika.Zapewniamy również usługi śledzenia logistyki w czasie rzeczywistym, umożliwiając klientom zrozumienie lokalizacji i statusu ich towarów w dowolnym momencie. Jeśli masz określone międzynarodowe trasy wysyłkowe lub wyznaczonego napastnika towarowego, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży-z przyjemnością dostosujemy Twoje wymagania.
Obsługujemy wiele metod płatności, w tym karty kredytowe, transfery przewodu i inne opcje, i akceptujemy większość walut.W przypadku zamówień złożonych w USD dostępne są dodatkowe opcje płatności.Aby uzyskać więcej informacji na temat metod i procedur płatności, skontaktuj się z naszym zespołem sprzedaży.
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5809US”.
JAN1N5806

JAN1N5806

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806US

JAN1N5806US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804URS

JAN1N5804URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5806URS

JAN1N5806URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A APKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5804US

JAN1N5804US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 2.5A D5A

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Opis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5816

JAN1N5816

Opis: DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ

Review (1)

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościPliki do pobraniaMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.