Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N5816
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5301396

JAN1N5816

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N5816
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N5816.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    20A
  • Napięcie - Podział
    DO-203AA (DO-4)
  • Seria
    MILITARY, MIL-PRF-19500/478
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    300pF @ 10V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    1086-15839
    1086-15839-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    35ns
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    JAN1N5816
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 150V 20A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Diode Configuration
    10µA @ 150V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 150V 20A DO203AA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    950mV @ 20A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    150V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N5816”.
JAN1N5811URS

JAN1N5811URS

Opis: DIODE GEN PURP 150V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6036A

JAN1N6036A

Opis: TVS DIODE 6V 11.3V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5814

JAN1N5814

Opis: DIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N5809URS

JAN1N5809URS

Opis: DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5822

JAN1N5822

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 3A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5819UR-1/TR

JAN1N5819UR-1/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6044A

JAN1N6044A

Opis: TVS DIODE 13V 22.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5968

JAN1N5968

Opis: DIODE ZENER 5.6V 5W AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811US

JAN1N5811US

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5819-1

JAN1N5819-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809US

JAN1N5809US

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5811

JAN1N5811

Opis: DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807

JAN1N5807

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5809

JAN1N5809

Opis: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807URS

JAN1N5807URS

Opis: DIODE GEN PURP 50V 3A BPKG

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6043A

JAN1N6043A

Opis: TVS DIODE 12V 21.2V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N6039A

JAN1N6039A

Opis: TVS DIODE 8.5V 14.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5807US

JAN1N5807US

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A B-MELF

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5819UR-1

JAN1N5819UR-1

Opis: DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N5907

JAN1N5907

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V DO13

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.