Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N3671R
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4611515

JAN1N3671R

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$57.399
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N3671R
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.35V @ 38A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-203AA (DO-4)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/260
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    1086-16807
    1086-16807-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard, Reverse Polarity
  • szczegółowy opis
    Diode Standard, Reverse Polarity 800V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    12A
  • Pojemność @ VR F
    -

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N3671R”.
JAN1N3766

JAN1N3766

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Opis: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821C-1

JAN1N3821C-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Opis: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3613

JAN1N3613

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.