Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N3647
Poproś o wycenę
polski
2314050

JAN1N3647

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$22.229
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N3647
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    250mA
  • Napięcie - Podział
    S, Axial
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/279
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    S, Axial
  • Inne nazwy
    1086-16800
    1086-16800-MIL
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Numer części producenta
    JAN1N3647
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 3000V (3kV) 250mA Through Hole S, Axial
  • Diode Configuration
    5µA @ 1500V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5V @ 250mA
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    3000V (3kV)
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 150°C
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3766

JAN1N3766

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Opis: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Opis: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3644

JAN1N3644

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3645

JAN1N3645

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3646

JAN1N3646

Opis: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3612

JAN1N3612

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3613

JAN1N3613

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3611

JAN1N3611

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3768

JAN1N3768

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3600

JAN1N3600

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
JAN1N3614

JAN1N3614

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść