Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > JAN1N3613
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6342342Obraz JAN1N3613.Microsemi

JAN1N3613

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$9.57
10+
$8.613
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N3613
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N3613.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/228
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    A, Axial
  • Inne nazwy
    1086-1998
    1086-1998-MIL
  • Temperatura pracy - złącze
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS non-compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 1A Through Hole
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 300V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    -

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N3613”.
JAN1N3595AUR-1

JAN1N3595AUR-1

Opis: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3611

JAN1N3611

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3647

JAN1N3647

Opis: DIODE GEN PURP 3KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3645

JAN1N3645

Opis: DIODE GEN PURP 1.4KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3595-1

JAN1N3595-1

Opis: DIODE SW 125V 150MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3614

JAN1N3614

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3600

JAN1N3600

Opis: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO7

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3339B

JAN1N3339B

Opis: DIODE ZENER 50W DO-203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3338B

JAN1N3338B

Opis: DIODE ZENER 82V 50W DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3595AUS

JAN1N3595AUS

Opis: DIODE GEN PURP 125V 150MA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3612

JAN1N3612

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3644

JAN1N3644

Opis: DIODE GEN PURP 1.5KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3595UR-1

JAN1N3595UR-1

Opis: DIODE GP 125V 150MA DO213AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3646

JAN1N3646

Opis: DIODE GP 1.75KV 250MA AXIAL

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3595A-1

JAN1N3595A-1

Opis: DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3671A

JAN1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.