Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > JAN1N3821C-1
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
838646Obraz JAN1N3821C-1.Microsemi Corporation

JAN1N3821C-1

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$16.232
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    JAN1N3821C-1
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE ZENER 3.3V 1W DO41
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
    JAN1N3821C-1.pdf
  • Napięcie - Izolacja
    10 Ohm
  • Napięcie - Podział
    DO-41
  • Seria
    Military, MIL-PRF-19500/115
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Moc - Max
    1W
  • Polaryzacja
    DO-204AL, DO-41, Axial
  • Inne nazwy
    1086-16830
    1086-16830-MIL
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 175°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Numer części producenta
    JAN1N3821C-1
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    3.3V
  • Rozszerzony opis
    Zener Diode 1W ±2% Through Hole DO-41
  • ESR (Equivalent Series Resistance)
    ±2%
  • Diode Configuration
    100µA @ 1V
  • Opis
    DIODE ZENER 3.3V 1W DO41
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.2V @ 200mA

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „JAN1N3821C-1”.
JAN1N3822A-1

JAN1N3822A-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3822DUR-1

JAN1N3822DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821A-1

JAN1N3821A-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3822AUR-1

JAN1N3822AUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3823A-1

JAN1N3823A-1

Opis: DIODE ZENER 3.9V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3673AR

JAN1N3673AR

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3822CUR-1

JAN1N3822CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3822C-1

JAN1N3822C-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3766

JAN1N3766

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821DUR-1

JAN1N3821DUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821CUR-1

JAN1N3821CUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3671R

JAN1N3671R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3821AUR-1

JAN1N3821AUR-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO213AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3822D-1

JAN1N3822D-1

Opis: DIODE ZENER 3.6V 1W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3768

JAN1N3768

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
JAN1N3821D-1

JAN1N3821D-1

Opis: DIODE ZENER 3.3V 1W DO41

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3673A

JAN1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3671AR

JAN1N3671AR

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3768R

JAN1N3768R

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
JAN1N3766R

JAN1N3766R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.