Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT75GT120JU2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5110140Obraz APT75GT120JU2.Microsemi

APT75GT120JU2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$31.76
10+
$29.381
25+
$26.998
100+
$25.093
250+
$23.028
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT75GT120JU2
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 100A 416W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.1V @ 15V, 75A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    416W
  • Package / Case
    ISOTOP
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    5.34nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    Trench Field Stop
  • szczegółowy opis
    IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 100A 416W Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    5mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100A
  • Konfiguracja
    Single
APT75M50B2

APT75M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT7F100B

APT7F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Opis: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT7F120B

APT7F120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75M50L

APT75M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120J

APT75GP120J

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT7M120B

APT7M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT7F80K

APT7F80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Opis: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść