Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT75GN60B2DQ3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5876859Obraz APT75GN60B2DQ3G.Microsemi

APT75GN60B2DQ3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT75GN60B2DQ3G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 155A 536W TO264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    1.85V @ 15V, 75A
  • Stan testu
    400V, 75A, 1 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    47ns/385ns
  • Przełączanie Energy
    2500µJ (on), 2140µJ (off)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    -
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    536W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura robocza
    -
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • brama Charge
    485nC
  • szczegółowy opis
    IGBT 600V 155A 536W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    225A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    155A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT75GN60B2DQ3G”.
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Opis: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Opis: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120J

APT75GN120J

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75F50B2

APT75F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120J

APT75GP120J

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.