Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > APT75DQ100BG
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5137568Obraz APT75DQ100BG.Microsemi Corporation

APT75DQ100BG

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
150+
$4.017
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT75DQ100BG
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    75A
  • Napięcie - Podział
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tube
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    TO-247-2
  • Inne nazwy
    APT75DQ100BGMI
    APT75DQ100BGMI-ND
  • Temperatura pracy - złącze
    250ns
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    22 Weeks
  • Numer części producenta
    APT75DQ100BG
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 1000V (1kV) 75A Through Hole TO-247 [B]
  • Diode Configuration
    100µA @ 1000V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    3V @ 75A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    1000V (1kV)
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 175°C
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50L

APT75F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50B2

APT75F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120J

APT75GN120J

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120L

APT70GR120L

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść