Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT75F50L
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6116237Obraz APT75F50L.Microsemi

APT75F50L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
50+
$16.709
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT75F50L
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 500V 75A TO-264
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-264 [L]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    75 mOhm @ 37A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1040W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-264-3, TO-264AA
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    11600pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    290nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    500V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 500V 75A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-264 [L]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    75A (Tc)
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Opis: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120J

APT75GN120J

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GP120J

APT75GP120J

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50B2

APT75F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść