Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > APT75GP120B2G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6207846Obraz APT75GP120B2G.Microsemi

APT75GP120B2G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$27.42
10+
$25.361
30+
$23.305
120+
$21.66
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT75GP120B2G
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 100A 1042W TMAX
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.APT75GP120B2G.pdf
    2.APT75GP120B2G.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.9V @ 15V, 75A
  • Stan testu
    600V, 75A, 5 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    20ns/163ns
  • Przełączanie Energy
    1620µJ (on), 2500µJ (off)
  • Seria
    POWER MOS 7®
  • Moc - Max
    1042W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • Inne nazwy
    APT75GP120B2GMI
    APT75GP120B2GMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    23 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    PT
  • brama Charge
    320nC
  • szczegółowy opis
    IGBT PT 1200V 100A 1042W Through Hole
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    300A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100A

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT75GP120B2G”.
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75F50B2

APT75F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120B2G

APT75GN120B2G

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120JDQ3

APT75GN120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120J

APT75GP120J

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120J

APT75GN120J

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120JDQ3G

APT75GN120JDQ3G

Opis: IGBT 1200V 124A 379W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75F50L

APT75F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN60B2DQ3G

APT75GN60B2DQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT77N60BC6

APT77N60BC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Opis: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN120LG

APT75GN120LG

Opis: IGBT 1200V 200A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.