Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT77N60BC6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4728390Obraz APT77N60BC6.Microsemi

APT77N60BC6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$16.34
30+
$13.736
120+
$12.623
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT77N60BC6
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 77A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT77N60BC6.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.6V @ 2.96mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    CoolMOS™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    41 mOhm @ 44.4A, 10V
  • Strata mocy (max)
    481W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    18 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13600pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    260nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 77A (Tc) 481W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    77A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT77N60BC6”.
APT75GN60LDQ3G

APT75GN60LDQ3G

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT7F80K

APT7F80K

Opis: MOSFET N-CH 800V 7A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT7M120S

APT7M120S

Opis: MOSFET N-CH 1200V 8A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JRDQ3

APT75GT120JRDQ3

Opis: IGBT 1200V 97A 480W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT7F100B

APT7F100B

Opis: MOSFET N-CH 1000V 7A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT77N60SC6

APT77N60SC6

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A D3PAK

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8018JN

APT8018JN

Opis: MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75M50L

APT75M50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JU2

APT75GT120JU2

Opis: IGBT 1200V 100A 416W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT77N60JC3

APT77N60JC3

Opis: MOSFET N-CH 600V 77A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120B2G

APT75GP120B2G

Opis: IGBT 1200V 100A 1042W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT7M120B

APT7M120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 8A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8020B2LLG

APT8020B2LLG

Opis: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120JDQ3

APT75GP120JDQ3

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GN60BG

APT75GN60BG

Opis: IGBT 600V 155A 536W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GT120JU3

APT75GT120JU3

Opis: POWER MOD IGBT 1200V 100A SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75M50B2

APT75M50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT8014JLL

APT8014JLL

Opis: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT75GP120J

APT75GP120J

Opis: IGBT 1200V 128A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT7F120B

APT7F120B

Opis: MOSFET N-CH 1200V 7A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.