Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT70SM70B
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3321445

APT70SM70B

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT70SM70B
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    POWER MOSFET - SIC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +25V, -10V
  • Technologia
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-247 [B]
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    70 mOhm @ 32.5A, 20V
  • Strata mocy (max)
    300W (Tc)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-247-3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    125nC @ 20V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    20V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    700V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    65A (Tc)
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL60HJ

APT75DL60HJ

Opis: MOD DIODE 600V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50B2

APT75F50B2

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ60BG

APT75DQ60BG

Opis: DIODE GEN PURP 600V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75F50L

APT75F50L

Opis: MOSFET N-CH 500V 75A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ120BG

APT75DQ120BG

Opis: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120L

APT70GR120L

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DQ100BG

APT75DQ100BG

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść