Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT6M100K
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5038407

APT6M100K

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT6M100K
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220 [K]
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.5 Ohm @ 3A, 10V
  • Strata mocy (max)
    225W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    APT6M100KMI
    APT6M100KMI-ND
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1410pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    43nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    1000V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Tc)
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Opis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT65GP60J

APT65GP60J

Opis: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120L

APT70GR120L

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Opis: IGBT 600V 198A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66F60B2

APT66F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść