Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > APT66F60B2
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6538582Obraz APT66F60B2.Microsemi

APT66F60B2

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$24.07
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT66F60B2
  • Producent / marka
    Microsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 70A TO-247
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    APT66F60B2.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 2.5mA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    T-MAX™ [B2]
  • Seria
    POWER MOS 8™
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    90 mOhm @ 33A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1135W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-247-3 Variant
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    13190pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    330nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 70A (Tc) 1135W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    70A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „APT66F60B2”.
APT60S20B2CTG

APT60S20B2CTG

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 200V TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90LD30

APT64GA90LD30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT64GA90B2D30

APT64GA90B2D30

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT65GP60J

APT65GP60J

Opis: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT70GR120J

APT70GR120J

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Opis: IGBT 600V 198A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20BG

APT60S20BG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT65GP60B2G

APT65GP60B2G

Opis: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20SG

APT60S20SG

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
APT60S20SG/TR

APT60S20SG/TR

Opis: DIODE SCHOTTKY 200V 75A D3PAK

Producenci: Microsemi Corporation
Na stanie
RFQ
APT64GA90B

APT64GA90B

Opis: IGBT 900V 117A 500W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.