Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - moduły > APT70GR120J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6710166Obraz APT70GR120J.Microsemi

APT70GR120J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    APT70GR120J
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 1200V 112A 543W SOT227
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    1200V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    3.2V @ 15V, 70A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    543W
  • Package / Case
    SOT-227-4
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Termistor NTC
    No
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce
    7.26nF @ 25V
  • Wkład
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    NPT
  • szczegółowy opis
    IGBT Module NPT Single 1200V 112A 543W Chassis Mount SOT-227
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    1mA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    112A
  • Konfiguracja
    Single
APT70GR65B

APT70GR65B

Opis: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66M60B2

APT66M60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60B

APT68GA60B

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120B2

APT70GR120B2

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120L

APT70GR120L

Opis: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70J

APT70SM70J

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT6M100K

APT6M100K

Opis: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Opis: IGBT 600V 198A 833W TO264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66F60B2

APT66F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DL120HJ

APT75DL120HJ

Opis: MOD DIODE 1200V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60B2D40

APT68GA60B2D40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70S

APT70SM70S

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66F60L

APT66F60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT68GA60LD40

APT68GA60LD40

Opis: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR120JD60

APT70GR120JD60

Opis: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Opis: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT75DF170HJ

APT75DF170HJ

Opis: MOD DIODE 1700V SOT-227

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT70SM70B

APT70SM70B

Opis: POWER MOSFET - SIC

Producenci: Microsemi
Na stanie
APT66M60L

APT66M60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Producenci: Microsemi
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść