Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RHU003N03FRAT106
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6107621Obraz RHU003N03FRAT106.LAPIS Semiconductor

RHU003N03FRAT106

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.069
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RHU003N03FRAT106
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RHU003N03FRAT106.pdf
    2.RHU003N03FRAT106.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 Ohm @ 300mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    200mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RHU003N03FRAT106TR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    20pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW Surface Mount UMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RHU003N03FRAT106”.
IRFS3307ZTRLPBF

IRFS3307ZTRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RHU002N06T106

RHU002N06T106

Opis: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPS80R1K2P7AKMA1

IPS80R1K2P7AKMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.5A TO251-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
CTLDM8120-M621H TR

CTLDM8120-M621H TR

Opis: MOSFET P-CH 20V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
TK40P03M1(T6RSS-Q)

TK40P03M1(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
STP95N3LLH6

STP95N3LLH6

Opis: MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRFS7534PBF

IRFS7534PBF

Opis: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI3433CDV-T1-GE3

SI3433CDV-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A 6TSOP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFIB8N50KPBF

IRFIB8N50KPBF

Opis: MOSFET N-CH 500V 6.7A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IPW60R075CPAFKSA1

IPW60R075CPAFKSA1

Opis: AUTOMOTIVE

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
TPN11006NL,LQ

TPN11006NL,LQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
STB76NF80

STB76NF80

Opis: MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
NVTFS5826NLTWG

NVTFS5826NLTWG

Opis: MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFU3707PBF

IRFU3707PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 61A I-PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
BUK7C1R2-40EJ

BUK7C1R2-40EJ

Opis: MOSFET N-CH 40V 200A D2PAK-7

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
RHU003N03T106

RHU003N03T106

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
GKI03039

GKI03039

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8DFN

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
RFQ
IPP120N06S403AKSA1

IPP120N06S403AKSA1

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SPP42N03S2L13

SPP42N03S2L13

Opis: MOSFET N-CH 30V 42A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP110N7F6

STP110N7F6

Opis: MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.