Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RHU003N03T106
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1323552Obraz RHU003N03T106.LAPIS Semiconductor

RHU003N03T106

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.50
10+
$0.349
100+
$0.229
500+
$0.136
1000+
$0.104
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RHU003N03T106
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RHU003N03T106.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    1.2 Ohm @ 300mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RHU003N03T106CT
  • temperatura robocza
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    20pF @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 300mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    300mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RHU003N03T106”.
RHU002N06T106

RHU002N06T106

Opis: MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQPF630

FQPF630

Opis: MOSFET N-CH 200V 6.3A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF5805TR

IRF5805TR

Opis: MOSFET P-CH 30V 3.8A 6-TSOP

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDM606P

FDM606P

Opis: MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Opis: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
STR2P3LLH6

STR2P3LLH6

Opis: MOSFET P-CH 30V 2A SOT-23

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
FCP7N60_F080

FCP7N60_F080

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF7403TR

IRF7403TR

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFB7430PBF

IRFB7430PBF

Opis: MOSFET N CH 40V 195A TO220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXFN40N110P

IXFN40N110P

Opis: MOSFET N-CH 1100V 34A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FDA33N25

FDA33N25

Opis: MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSS123_D87Z

BSS123_D87Z

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
DMN5L06WKQ-7

DMN5L06WKQ-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 300MA SOT323

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
TSM2328CX RFG

TSM2328CX RFG

Opis: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SSM6J771G,LF

SSM6J771G,LF

Opis: MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TSM4425CS RLG

TSM4425CS RLG

Opis: MOSFET P-CHANNEL 8SOP

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
FDS8813NZ

FDS8813NZ

Opis: MOSFET N-CH 30V 18.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STP400N4F6

STP400N4F6

Opis: MOSFET N-CH 40V TO-220

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
SIHG80N60E-GE3

SIHG80N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 80A TO247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.