Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RHU002N06T106
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3226277Obraz RHU002N06T106.LAPIS Semiconductor

RHU002N06T106

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.073
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RHU002N06T106
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RHU002N06T106.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    UMT3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.4 Ohm @ 200mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    200mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RHU002N06T106-ND
    RHU002N06T106TR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    15pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount UMT3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    200mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RHU002N06T106”.
FDB8445-F085

FDB8445-F085

Opis: MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

Opis: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SUM85N15-19-E3

SUM85N15-19-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 85A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
PSMN034-100PS,127

PSMN034-100PS,127

Opis: MOSFET N-CH 100V TO220AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
SUD45P03-10-E3

SUD45P03-10-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V TO252

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFR4104TR

IRFR4104TR

Opis: MOSFET N-CH 40V 42A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRL3303L

IRL3303L

Opis: MOSFET N-CH 30V 38A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
SI7810DN-T1-GE3

SI7810DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 3.4A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOTF7N60

AOTF7N60

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IPD90R1K2C3BTMA1

IPD90R1K2C3BTMA1

Opis: MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-252

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQPF13N06

FQPF13N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 9.4A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SIA447DJ-T1-GE3

SIA447DJ-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 12V 12A SC-70-6L

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IRFZ44ZLPBF

IRFZ44ZLPBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 51A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
RHU003N03FRAT106

RHU003N03FRAT106

Opis: 4V DRIVE NCH MOSFET (CORRESPONDS

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RHU003N03T106

RHU003N03T106

Opis: MOSFET N-CH 30V 300MA SOT-323

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFZ48NL

IRFZ48NL

Opis: MOSFET N-CH 55V 64A TO-262

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
VN0606L-G-P003

VN0606L-G-P003

Opis: MOSFET N-CH 60V 330MA TO92-3

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
TPCA8025(TE12L,Q,M

TPCA8025(TE12L,Q,M

Opis: MOSFET N-CH 30V 40A 8SOIC ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
IRFL4315TRPBF

IRFL4315TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLL014NTR

IRLL014NTR

Opis: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.