Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > CTLDM8120-M621H TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3812845

CTLDM8120-M621H TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.464
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    CTLDM8120-M621H TR
  • Producent / marka
    Central Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V DFN6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    CTLDM8120-M621H TR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TLM621H
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    150 mOhm @ 950mA, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-XFDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    CTLDM8120-M621H TR-ND
    CTLDM8120-M621HTR
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    200pF @ 16V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3.56nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 950mA (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount TLM621H
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    950mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „CTLDM8120-M621H TR”.
CTLDM8120-M832DS TR

CTLDM8120-M832DS TR

Opis: MOSFET DUAL N-CHANNEL

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLS0300B

CTLS0300B

Opis: LADDER TIE: 316 STAINLESS STEEL

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
CTLS1150B

CTLS1150B

Opis: LADDER TIE: 316 STAINLESS STEEL

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
CTLDM8120-M621H BK

CTLDM8120-M621H BK

Opis: MOSFET P-CH 20V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM7120-M832DS TR

CTLDM7120-M832DS TR

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 1A

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM7590 TR

CTLDM7590 TR

Opis: MOSFET P-CH 20V 0.14A TLM3D6D8

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLS0150B

CTLS0150B

Opis: LADDER TIE: 316 STAINLESS STEEL

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
CTLDM7120-M621H BK

CTLDM7120-M621H BK

Opis: MOSFET N-CH 20V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM8120-M832DS BK

CTLDM8120-M832DS BK

Opis: MOSFET DUAL N-CHANNEL

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM8002A-M621H TR

CTLDM8002A-M621H TR

Opis: MOSFET N-CH 50V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLS0610B

CTLS0610B

Opis: LADDER TIE: 316 STAINLESS STEEL

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
CTLDM7120-M621H TR

CTLDM7120-M621H TR

Opis: MOSFET N-CH 20V 1A

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLG2.5

CTLG2.5

Opis: CONN TERM BLK FEED THRU 12-24AWG

Producenci: Altech Corporation
Na stanie
RFQ
CTLHR10-06 TR13

CTLHR10-06 TR13

Opis: DIODE GEN PURP 600V 10A TLM364

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLS0225B

CTLS0225B

Opis: LADDER TIE: 316 STAINLESS STEEL

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
CTLS0450B

CTLS0450B

Opis: LADDER TIE: 316 STAINLESS STEEL

Producenci: Essentra Components
Na stanie
RFQ
CTLDM8002A-M621 BK

CTLDM8002A-M621 BK

Opis: MOSFET N-CH 50V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM8002A-M621 TR

CTLDM8002A-M621 TR

Opis: MOSFET N-CH 50V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM7120-M832DS BK

CTLDM7120-M832DS BK

Opis: MOSFET DUAL N-CHANNEL

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
CTLDM8002A-M621H BK

CTLDM8002A-M621H BK

Opis: MOSFET N-CH 50V DFN6

Producenci: Central Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.