Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXUN350N10
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5728599Obraz IXUN350N10.IXYS Corporation

IXUN350N10

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXUN350N10
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXUN350N10.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 3mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.5 mOhm @ 175A, 10V
  • Strata mocy (max)
    830W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Inne nazwy
    Q3672970
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    27000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    640nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 350A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    350A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXUN350N10”.
IXUV170N075

IXUV170N075

Opis: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
TK40E10K3,S1X(S

TK40E10K3,S1X(S

Opis: MOSFET N-CH 100V 40A TO-220AB

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
SI1078X-T1-GE3

SI1078X-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
PMPB16XN,115

PMPB16XN,115

Opis: MOSFET N-CH 30V 7.2A 6DFN

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
IRFI640GPBF

IRFI640GPBF

Opis: MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXUC200N055

IXUC200N055

Opis: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
AON6260

AON6260

Opis: MOSFET N-CH 60V 85A DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
HUF75343P3

HUF75343P3

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SQJ407EP-T1_GE3

SQJ407EP-T1_GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAKSO-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUM50020EL-GE3

SUM50020EL-GE3

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXUC100N055

IXUC100N055

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXUV170N075S

IXUV170N075S

Opis: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
NTD20P06L-001

NTD20P06L-001

Opis: MOSFET P-CH 60V 15.5A IPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXUC160N075

IXUC160N075

Opis: MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
APT66F60B2

APT66F60B2

Opis: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG

Opis: MOSFET N-CH 30V 22A U8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6B03NT1G

NVMFS6B03NT1G

Opis: MOSFET N-CH 100V 132A SO8FL

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXUN280N10

IXUN280N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.