Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ3E150BNTB
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4639119

RQ3E150BNTB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.56
10+
$0.474
100+
$0.355
500+
$0.261
1000+
$0.201
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RQ3E150BNTB
  • Producent / marka
    LAPIS Technology
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RQ3E150BNTB.pdf
    2.RQ3E150BNTB.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-HSMT (3.2x3)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.3 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2W (Ta)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    RQ3E150BNTBDKR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    40 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3000pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    45nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 15A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    15A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RQ3E150BNTB”.
RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E180BNTB

RQ3E180BNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.