Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > RQ3E180BNTB

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4242582

RQ3E180BNTB

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.225

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

RQ3E180BNTB
Producent / marka

LAPIS Technology
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHANNEL 30V 39A 8HSMT
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.RQ3E180BNTB.pdf
2.RQ3E180BNTB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

8-HSMT (3.2x3)
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

3.9 mOhm @ 18A, 10V
Strata mocy (max)

2W (Ta), 20W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerVDFN
Inne nazwy

RQ3E180BNTBTR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

40 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3500pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

37nC @ 4.5V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

N-Channel 30V 39A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

39A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „RQ3E180BNTB”.

RQ3E150MNTB1

RQ3E150MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E075ATTB

RQ3E075ATTB

Opis: MOSFET P-CHANNEL 30V 18A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E120GNTB

RQ3E120GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E120BNTB

RQ3E120BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 12A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E080BNTB

RQ3E080BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E130MNTB1

RQ3E130MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E150GNTB

RQ3E150GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3G100GNTB

RQ3G100GNTB

Opis: MOSFET N-CH 40V 10A TSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3L050GNTB

RQ3L050GNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E100GNTB

RQ3E100GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E180AJTB

RQ3E180AJTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A HSMR8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E150BNTB

RQ3E150BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E100MNTB1

RQ3E100MNTB1

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E180GNTB

RQ3E180GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E080GNTB

RQ3E080GNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 8A 8-HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E100BNTB

RQ3E100BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3G150GNTB

RQ3G150GNTB

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E130BNTB

RQ3E130BNTB

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

RQ3E120ATTB

RQ3E120ATTB

Opis: MOSFET P-CH 30V 12A HSMT8

Producenci: LAPIS Semiconductor

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.