Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > IXUN280N10
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2557395Obraz IXUN280N10.IXYS Corporation

IXUN280N10

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    IXUN280N10
  • Producent / marka
    IXYS / Littelfuse
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227B
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    IXUN280N10.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 4mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SOT-227B
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5 mOhm @ 140A, 10V
  • Strata mocy (max)
    770W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    SOT-227-4, miniBLOC
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Chassis Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    18000pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    440nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 100V 280A (Tc) 770W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    280A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „IXUN280N10”.
MCH3382-TL-W

MCH3382-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 12V 2A MCPH3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AUIRLR024N

AUIRLR024N

Opis: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQT4N20LTF

FQT4N20LTF

Opis: MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTMFS5H414NLT1G

NTMFS5H414NLT1G

Opis: T8 40V LOW COSS

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXUV170N075

IXUV170N075

Opis: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
PMZ350XN,315

PMZ350XN,315

Opis: MOSFET N-CH 30V 1.87A SOT883

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IPP16CN10NGHKSA1

IPP16CN10NGHKSA1

Opis: MOSFET N-CH 100V TO-220

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPA65R1K5CEXKSA1

IPA65R1K5CEXKSA1

Opis: MOSFET N-CH 650V TO220-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IXUV170N075S

IXUV170N075S

Opis: MOSFET N-CH 75V 170A PLUS220-S

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
TPH3205WSB

TPH3205WSB

Opis: MOSFET N-CH 650V 36A TO247

Producenci: Transphorm
Na stanie
RFQ
SI1473DH-T1-E3

SI1473DH-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IPD33CN10NGATMA1

IPD33CN10NGATMA1

Opis: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FQD1N60TF

FQD1N60TF

Opis: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXUC160N075

IXUC160N075

Opis: MOSFET N-CH 75V 160A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXUN350N10

IXUN350N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 350A SOT-227B

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
PSMN2R5-30YL,115

PSMN2R5-30YL,115

Opis: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
IXUC200N055

IXUC200N055

Opis: MOSFET N-CH 55V 200A ISOPLUS-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRF540STRL

IRF540STRL

Opis: MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI4488DY-T1-GE3

SI4488DY-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 3.5A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
IXUC100N055

IXUC100N055

Opis: MOSFET N-CH 55V 100A ISOPLUS-220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.