Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S12J
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6239371

S12J

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$4.679
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S12J
  • Producent / marka
    GeneSiC Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.S12J.pdf
    2.S12J.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    12A
  • Napięcie - Podział
    DO-4
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    S12JGN
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    S12J
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
  • Diode Configuration
    10µA @ 50V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.1V @ 12A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    600V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „S12J”.
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12GC R7G

S12GC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12DR

S12DR

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12JC M6G

S12JC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12JC V7G

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12G

S12G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12JC R7G

S12JC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12GC V6G

S12GC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12GR

S12GR

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12JR

S12JR

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12D

S12D

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12JC V6G

S12JC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12GC V7G

S12GC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12GC M6G

S12GC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.