Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S12GC V6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1036362Obraz S12GC V6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12GC V6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.152
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S12GC V6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S12GC V6G-ND
    S12GCV6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    12A
  • Pojemność @ VR F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12JC M6G

S12JC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12GCHR7G

S12GCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12DR

S12DR

Opis: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12BR

S12BR

Opis: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12JC R7G

S12JC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JC V7G

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12G

S12G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12B-ZR(LF)(SN)

S12B-ZR(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S12GC R7G

S12GC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12B-ZR-SM3A-TF

S12B-ZR-SM3A-TF

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S12GC V7G

S12GC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 12POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

S12B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER ZH SMT 12POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S12GC M6G

S12GC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JC V6G

S12JC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12GR

S12GR

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12J

S12J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12GCHM6G

S12GCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12D

S12D

Opis: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść