Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S12JR

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2971229

S12JR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

200+

$2.94

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

S12JR
Producent / marka

GeneSiC Semiconductor
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

1.S12JR.pdf
2.S12JR.pdf
Napięcie - Szczyt Rewers (Max)

Standard, Reverse Polarity
Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli

12A
Napięcie - Podział

DO-4
Seria

-
Stan RoHS

Bulk
Odwrócona Recovery Time (TRR)

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Odporność @ Jeżeli F

-
Polaryzacja

DO-203AA, DO-4, Stud
Inne nazwy

S12JRGN
Rodzaj mocowania

Chassis, Stud Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

10 Weeks
Numer części producenta

S12JR
Rozszerzony opis

Diode Standard, Reverse Polarity 600V 12A Chassis, Stud Mount DO-4
Diode Configuration

10µA @ 50V
Opis

DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Obecny - Reverse Przeciek @ Vr

1.1V @ 12A
Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)

600V
Pojemność @ VR F

-65°C ~ 175°C

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „S12JR”.

S12JC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12GCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12GCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12KC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12MC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12KR

S12KR

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

S12KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12JC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12M

S12M

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

S12KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12J

S12J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

S12JC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12JCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12GR

S12GR

Opis: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor

Na stanie

S12JCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

S12KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.