Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S12MC M6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3057158Obraz S12MC M6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12MC M6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.201
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S12MC M6G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 12A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    S12MC M6G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 12A
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S12MC M6G-ND
    S12MCM6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    12A
  • Pojemność @ VR F
    78pF @ 4V, 1MHz

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „S12MC M6G”.
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12KC R7G

S12KC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12M

S12M

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12KC M6G

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12QR

S12QR

Opis: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12MR

S12MR

Opis: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12KR

S12KR

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12KC V6G

S12KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12Q

S12Q

Opis: DIODE GEN PURP 1200V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12MC V6G

S12MC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12MCHM6G

S12MCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12ME1FY

S12ME1FY

Opis: OPTOISOLATOR 4KV SCR 6DIP

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
S12MC V7G

S12MC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12JR

S12JR

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
RFQ
S12MCHR7G

S12MCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12KC V7G

S12KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
S12MD3

S12MD3

Opis: OPTOISOLATOR 1.5KV SCR 8DIP

Producenci: Sharp Microelectronics
Na stanie
RFQ
S12MC R7G

S12MC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.