Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S12KC R7G
Poproś o wycenę
polski
511828Obraz S12KC R7G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S12KC R7G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
850+
$0.227
1700+
$0.203
2550+
$0.185
5950+
$0.173
21250+
$0.161
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S12KC R7G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.1V @ 12A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    800V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S12KC R7GTR
    S12KC R7GTR-ND
    S12KCR7GTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 800V 12A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 800V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    12A
  • Pojemność @ VR F
    78pF @ 4V, 1MHz
S12KC M6G

S12KC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JC V6G

S12JC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KCHR7G

S12KCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JC M6G

S12JC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12MC R7G

S12MC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12MC V7G

S12MC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KC V7G

S12KC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12K

S12K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12JC V7G

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JCHM6G

S12JCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12J

S12J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12JC R7G

S12JC R7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12M

S12M

Opis: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12MC M6G

S12MC M6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KCHM6G

S12KCHM6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12JR

S12JR

Opis: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12KR

S12KR

Opis: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4

Producenci: GeneSiC Semiconductor
Na stanie
S12JCHR7G

S12JCHR7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12KC V6G

S12KC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S12MC V6G

S12MC V6G

Opis: DIODE GEN PURP 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie

Review (1)

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść