Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7107DN-T1-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6590375Obraz SI7107DN-T1-GE3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7107DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7107DN-T1-GE3
  • Producent / marka
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SI7107DN-T1-GE3.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 450µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.5W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SI7107DN-T1-GE3TR
    SI7107DNT1GE3
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    44nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7107DN-T1-GE3”.
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7113DN-T1-E3

SI7113DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7112DN-T1-E3

SI7112DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7110DN-T1-E3

SI7110DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7100DN-T1-E3

SI7100DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7108DN-T1-E3

SI7108DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.