Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7100DN-T1-E3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2879087Obraz SI7100DN-T1-E3.Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7100DN-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SI7100DN-T1-E3
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerPAK® 1212-8
  • Seria
    TrenchFET®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    3.8W (Ta), 52W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    PowerPAK® 1212-8
  • Inne nazwy
    SI7100DN-T1-E3TR
  • temperatura robocza
    -50°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3810pF @ 4V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    105nC @ 8V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    8V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 8V 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    35A (Tc)
SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7104DN-T1-E3

SI7104DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7106DN-T1-E3

SI7106DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7107DN-T1-E3

SI7107DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7060-B-00-IV

SI7060-B-00-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7102DN-T1-E3

SI7102DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7060-EVB

SI7060-EVB

Opis: SI7060 EVALUATION BOARD

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SI7059-A10-IMR

SI7059-A10-IMR

Opis: SENSOR DIGITAL TEMP 1.0 6QFN

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść