Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7101DN-T1-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5670493

Obraz SI7101DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7101DN-T1-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.58

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7101DN-T1-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7101DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (maks.)

±25V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

7.2 mOhm @ 15A, 10V
Strata mocy (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SI7101DN-T1-GE3TR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

32 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

3595pF @ 15V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

102nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

30V
szczegółowy opis

P-Channel 30V 35A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

35A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7101DN-T1-GE3”.

SI7107DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7060-B-01-IVR

SI7060-B-01-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7060-B-00-IVR

SI7060-B-00-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7102DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7060-B-01-IV

SI7060-B-01-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7100DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7060-B-02-IVR

SI7060-B-02-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7104DN-T1-GE3

SI7104DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7106DN-T1-GE3

SI7106DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7060-B-03-IVR

SI7060-B-03-IVR

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7060-B-03-IV

SI7060-B-03-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7106DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 12.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7102DN-T1-GE3

SI7102DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7108DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7104DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7100DN-T1-GE3

SI7100DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7060-B-02-IV

SI7060-B-02-IV

Opis: +/- 1C ACCURACY I2C TEMP SENSORS

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

SI7060-EVB

SI7060-EVB

Opis: SI7060 EVALUATION BOARD

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.