Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SI7113DN-T1-E3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4822019

Obraz SI7113DN-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7113DN-T1-E3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$3.45

10+

$3.118

100+

$2.505

500+

$1.949

1000+

$1.614

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SI7113DN-T1-E3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SI7113DN-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerPAK® 1212-8
Seria

TrenchFET®
RDS (Max) @ ID, Vgs

134 mOhm @ 4A, 10V
Strata mocy (max)

3.7W (Ta), 52W (Tc)
Opakowania

Original-Reel®
Package / Case

PowerPAK® 1212-8
Inne nazwy

SI7113DN-T1-E3DKR
temperatura robocza

-50°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

33 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1480pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

55nC @ 10V
Rodzaj FET

P-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

P-Channel 100V 13.2A (Tc) 3.7W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

13.2A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SI7113DN-T1-E3”.

SI7116DN-T1-GE3

SI7116DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7108DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7114ADN-T1-GE3

SI7114ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7108DN-T1-GE3

SI7108DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 14A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7112DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7110DN-T1-GE3

SI7110DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7111EDN-T1-GE3

SI7111EDN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 30V 60A POWERPAK1212

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7107DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7117DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7110DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7116DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 10.5A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7107DN-T1-GE3

SI7107DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7113DN-T1-GE3

SI7113DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 13.2A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7113ADN-T1-GE3

SI7113ADN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 100V 10.8A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7114DN-T1-GE3

SI7114DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7112DN-T1-GE3

SI7112DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7117DN-T1-GE3

SI7117DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 2.17A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7115DN-T1-GE3

SI7115DN-T1-GE3

Opis: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7114DN-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SI7115DN-T1-E3

Opis: MOSFET P-CH 150V 8.9A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.