Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2110ENGRT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3938312Obraz EPC2110ENGRT.EPC

EPC2110ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$1.133
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2110ENGRT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 700µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    60 mOhm @ 4A, 5V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-EPC2110ENGRTR
    EPC2110ENGR
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    80pF @ 60V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.8nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Dual) Common Source
  • Cecha FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    120V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    3.4A
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Opis: 200 V GAN IC FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LC20

EPC2LC20

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2110

EPC2110

Opis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Opis: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2815

EPC2815

Opis: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111

EPC2111

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2801

EPC2801

Opis: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2818

EPC2818

Opis: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105

EPC2105

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107

EPC2107

Opis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108

EPC2108

Opis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2202

EPC2202

Opis: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2203

EPC2203

Opis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść