Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2107
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
7067371Obraz EPC2107.EPC

EPC2107

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$0.963
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2107
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    9-BGA (1.35x1.35)
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    9-VFBGA
  • Inne nazwy
    917-1168-2
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    16pF @ 50V, 7pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
  • Cecha FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1.7A, 500mA
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104

EPC2104

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111

EPC2111

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Opis: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Opis: 200 V GAN IC FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Opis: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2202

EPC2202

Opis: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108

EPC2108

Opis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105

EPC2105

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2110

EPC2110

Opis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść