Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2103ENGRT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
817711Obraz EPC2103ENGRT.EPC

EPC2103ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$9.18
10+
$8.262
25+
$7.528
100+
$6.793
250+
$6.242
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2103ENGRT
  • Producent / marka
    EPC
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    EPC2103ENGRT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 7mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.5 mOhm @ 20A, 5V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-1146-1
    917-1146-1-ND
    917-EPC2103ENGRCT
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7600pF @ 40V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.5nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    80V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 23A Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    23A

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „EPC2103ENGRT”.
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2105

EPC2105

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2102

EPC2102

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2103

EPC2103

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2101

EPC2101

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2104

EPC2104

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2107

EPC2107

Opis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2100ENG

EPC2100ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.