Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2104
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3711656Obraz EPC2104.EPC

EPC2104

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
500+
$5.615
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2104
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 5.5mA
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    Die
  • Seria
    eGaN®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    6.3 mOhm @ 20A, 5V
  • Moc - Max
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    Die
  • Inne nazwy
    917-1184-2
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    800pF @ 50V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    7nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Cecha FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    100V
  • szczegółowy opis
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 23A Surface Mount Die
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    23A
EPC2105ENGRT

EPC2105ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2102

EPC2102

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2102ENG

EPC2102ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103ENG

EPC2103ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108

EPC2108

Opis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103ENGRT

EPC2103ENGRT

Opis: TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104ENGRT

EPC2104ENGRT

Opis: MOSFET 2NCH 100V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2101

EPC2101

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2102ENGRT

EPC2102ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 23A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2101ENG

EPC2101ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105ENG

EPC2105ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2101ENGRT

EPC2101ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2105

EPC2105

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2100ENGRT

EPC2100ENGRT

Opis: MOSFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107

EPC2107

Opis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2103

EPC2103

Opis: TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2104ENG

EPC2104ENG

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść