Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > PMIC - Full, Half-Bridge Drivers > EPC2112ENGRT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6151360Obraz EPC2112ENGRT.EPC

EPC2112ENGRT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.78
10+
$6.051
25+
$5.446
100+
$4.962
250+
$4.478
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2112ENGRT
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    200 V GAN IC FET DRIVER
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Dostawa
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Napięcie - Obciążenie
    4.5 V ~ 5.5 V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    10-BGA (2.9x1.1)
  • Seria
    -
  • Rds On (Typ)
    32 mOhm
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    10-XFBGA
  • Konfiguracja wyjściowa
    Low Side
  • Inne nazwy
    917-EPC2112ENGRCT
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    14 Weeks
  • Typ obciążenia
    Inductive
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Berło
    On/Off
  • cechy
    -
  • Ochrona usterek
    -
  • szczegółowy opis
    Low Side Driver DC-DC Converters MOSFET (Metal Oxide) 10-BGA (2.9x1.1)
  • Obecny - Szczytowa wydajność
    40A
  • Obecny - Wyjście / Channel
    10A
  • Aplikacje
    DC-DC Converters
EPC2108

EPC2108

Opis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2203

EPC2203

Opis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Opis: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2107ENGRT

EPC2107ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2815

EPC2815

Opis: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LC20

EPC2LC20

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2107

EPC2107

Opis: MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LI20

EPC2LI20

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2818

EPC2818

Opis: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2202

EPC2202

Opis: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LC20EM

EPC2LC20EM

Opis: IC FPGA FBGA

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2106

EPC2106

Opis: TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2110

EPC2110

Opis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111

EPC2111

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2801

EPC2801

Opis: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2106ENGRT

EPC2106ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LC20N

EPC2LC20N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść