Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > EPC2801
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4021825Obraz EPC2801.EPC

EPC2801

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$12.80
10+
$11.639
25+
$10.766
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    EPC2801
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera ołów / RoHS niezgodny
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Test
    950pF @ 50V
  • Napięcie - Podział
    Die
  • VGS (th) (Max) @ Id
    7 mOhm @ 25A, 5V
  • Vgs (maks.)
    5V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Seria
    eGaN®
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    25A (Ta)
  • Polaryzacja
    Die
  • Inne nazwy
    917-1035-1
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 125°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    EPC2801
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    10nC @ 5V
  • Rodzaj IGBT
    +6V, -5V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    2.5V @ 5mA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 100V 25A (Ta) Surface Mount Die
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100V
  • Stosunek pojemności
    -
EPC2LC20

EPC2LC20

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2202

EPC2202

Opis: GANFET N-CH 80V 18A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2115ENGRT

EPC2115ENGRT

Opis: 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2108ENGRT

EPC2108ENGRT

Opis: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111

EPC2111

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2110

EPC2110

Opis: MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2112ENGRT

EPC2112ENGRT

Opis: 200 V GAN IC FET DRIVER

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2111ENGRT

EPC2111ENGRT

Opis: TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LI20

EPC2LI20

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2818

EPC2818

Opis: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LI20NGA

EPC2LI20NGA

Opis: IC FPGA FBGA

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2108

EPC2108

Opis: MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2TC32N

EPC2TC32N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT

Opis: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LI20N

EPC2LI20N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2TC32

EPC2TC32

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 32TQFP

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2815

EPC2815

Opis: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE

Producenci: EPC
Na stanie
EPC2LC20N

EPC2LC20N

Opis: IC CONFIG DEVICE 1.6MBIT 20PLCC

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2LC20EM

EPC2LC20EM

Opis: IC FPGA FBGA

Producenci: Altera (Intel® Programmable Solutions Group)
Na stanie
EPC2203

EPC2203

Opis: GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR

Producenci: EPC
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść