Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT6008LFG-13
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5384017Obraz DMT6008LFG-13.Diodes Incorporated

DMT6008LFG-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.12
10+
$0.982
100+
$0.758
500+
$0.561
1000+
$0.449
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT6008LFG-13
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMT6008LFG-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PowerDI3333-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    7.5 mOhm @ 20A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.2W (Ta), 41W (Tc)
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    8-PowerWDFN
  • Inne nazwy
    DMT6008LFG-13DIDKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    32 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2713pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    50.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 13A (Ta), 60A (Tc) 2.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount PowerDI3333-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A (Ta), 60A (Tc)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT6008LFG-13”.
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6010LPS-13

DMT6010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Opis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6010LFG-7

DMT6010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.