Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT6009LPS-13

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4562430

Obraz DMT6009LPS-13.

Diodes Incorporated

DMT6009LPS-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.483

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

DMT6009LPS-13
Producent / marka

Diodes Incorporated
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Stan ołowiu / status RoHS

Zawiera RoHS / RoHS
Arkusze danych

DMT6009LPS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (maks.)

±16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

PowerDI5060-8
Seria

Automotive, AEC-Q101
RDS (Max) @ ID, Vgs

10 mOhm @ 20A, 10V
Strata mocy (max)

2.3W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

8-PowerTDFN
Inne nazwy

DMT6009LPS-13DITR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

20 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1925pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 10.6A (Ta), 87A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10.6A (Ta), 87A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT6009LPS-13”.

DMT6007LFG-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6005LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LCT

DMT6009LCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6007LFG-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LK3-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6015LFV-7

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6015LFV-13

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6005LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.