Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT6009LK3-13

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

846814

Obraz DMT6009LK3-13.

Diodes Incorporated

DMT6009LK3-13

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

2500+

$0.444

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

DMT6009LK3-13
Producent / marka

Diodes Incorporated
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET BVDSS: 41V 60V TO252
Stan ołowiu / status RoHS

Zawiera RoHS / RoHS
Arkusze danych

DMT6009LK3-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Vgs (maks.)

±16V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-252
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

10 mOhm @ 13.5A, 10V
Strata mocy (max)

2.6W (Ta)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Inne nazwy

DMT6009LK3-13-ND
DMT6009LK3-13DITR
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

24 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1925pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

33.5nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 13.3A (Ta), 57A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

13.3A (Ta), 57A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT6009LK3-13”.

DMT6012LSS-13

DMT6012LSS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V8SOIC

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V SO-8 T&R 2

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6007LFG-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6005LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6015LFV-13

Opis: MOSFET NCH 60V 9.5A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010SCT

DMT6010SCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 98A TO220

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13.5A

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6010LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LSS-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6005LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6012LPS-13

DMT6012LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6005LCT

DMT6005LCT

Opis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6009LCT

DMT6009LCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

DMT6007LFG-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.