Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT5015LFDF-7
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6181835Obraz DMT5015LFDF-7.Diodes Incorporated

DMT5015LFDF-7

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.232
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT5015LFDF-7
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DMT5015LFDF-7.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±16V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    6-UDFN2020 (2x2)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    15 mOhm @ 8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    820mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-UDFN Exposed Pad
  • Inne nazwy
    DMT5015LFDF-7DITR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    902.7pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    50V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 50V 9.1A (Ta) 820mW (Ta) Surface Mount 6-UDFN2020 (2x2)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT5015LFDF-7”.
DMT4005SCT

DMT4005SCT

Opis: MOSFET NCH 40V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4011LFG-7

DMT4011LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Opis: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6004SCT

DMT6004SCT

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Opis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Opis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Opis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.