Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > DMT6004SCT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1418805

DMT6004SCT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$2.18
50+
$1.755
100+
$1.58
500+
$1.229
1000+
$1.018
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DMT6004SCT
  • Producent / marka
    Diodes Incorporated
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Zawiera RoHS / RoHS
  • Arkusze danych
    DMT6004SCT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220-3
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.65 mOhm @ 100A, 10V
  • Strata mocy (max)
    2.3W (Ta), 113W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    DMT6004SCTDI-5
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Contains lead / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    4556pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    95.4nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 100A (Tc) 2.3W (Ta), 113W (Tc) Through Hole TO-220-3
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100A (Tc)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DMT6004SCT”.
DMT6008LFG-13

DMT6008LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P1K

DMT4P1K

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6007LFG-7

DMT6007LFG-7

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7

Opis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6002LPS-13

DMT6002LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P22K

DMT4P22K

Opis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6005LCT

DMT6005LCT

Opis: MOSFET NCH 60V 100A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P22K-F

DMT4P22K-F

Opis: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6008LFG-7

DMT6008LFG-7

Opis: MOSFET N-CH 60V 13A PWDI3333-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LCT

DMT6009LCT

Opis: MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT5015LFDF-13

DMT5015LFDF-13

Opis: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4D47K

DMT4D47K

Opis: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6004LPS-13

DMT6004LPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6009LFG-13

DMT6009LFG-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 11A POWERDI3333-

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4S1K-F

DMT4S1K-F

Opis: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13

Opis: MOSFET BVDSS: 41V 60V POWERDI333

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Opis: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
DMT4P1K-F

DMT4P1K-F

Opis: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL

Producenci: Cornell Dubilier Electronics
Na stanie
RFQ
DMT6004SPS-13

DMT6004SPS-13

Opis: MOSFET N-CH 60V 23A POWERDI5060

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.